近日，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆，在湖北九峰山实验室下线。
8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆，是目前全球综合性能最优的光电集成芯片。薄膜铌酸锂以低传输损耗等突出性能，在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要作用。但由于铌酸锂材料脆性大，尺寸越大越难制作，目前，业界对薄膜铌酸锂的研发主要集中在3寸、4寸以及6寸晶圆，这次下线的8寸晶圆，属全球首片。该成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开发，将尽快实现产业商用。
湖北九峰山实验室工艺中心总经理柳俊：“技术上还确实是全球领先，在工艺和设计上应该都是比较独特的，也算是一个全新的技术。”
（长江云新闻记者 王丹 王俊）
