中晶新源(SiNESEMI)正式推出搭载创新型PDFN5060双面散热封装的40~100V SGT MOSFET 系列产品。该系列SGT MOSFET采用PDFN5060双面散热封装，实现开关损耗与导通损耗的双重降低，有效提升了高频开关效率。顶部开窗封装结构进一步优化了器件至散热器的热传导路径，有效降低热阻，电流承载能力更强，满足紧凑小型化、低功耗、强散热的客户应用需求，成为大功率、大电流应用领域技术国产化可靠选择。
新一代创新型PDFN5060双面散热封装
散热性能优，更大电流承载能力
40~100V SGT MOSFET, 导通阻抗低至0.57mΩ
芯片内核特色冗余设计，为汽车高安全而生
性能里程碑式突破，FOM优
双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力
Rthjc_Bottom 改善10%
Rthjc_Top 改善将近23%
Rthja 改善将近3.5倍
产品特点
品质因数(FOMs)优
低导通电阻
高可靠性
先进的厚铜clip技术
封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060
热性能改善将近3.5倍
典型应用
负载开关
高性能开关电源
机器人关节电机驱动
无人机电调
作为功率芯片领域的性能先锋与汽车芯片深耕者，中晶新源此次推出的新品，依托自主创新技术实现了性能的里程碑式突破，进一步填补了国内先进功率半导体的技术空白。
（来源：资讯中国）
责任编辑：雷晓燕 SV010
