参与国产CPU企业增资后，又投资国产内存，阿里开始紧跟华为、小米、美的等公司的步伐，持续布局半导体产业链。
今年2月，长鑫存储完成83.9亿元最新一轮融资，国内知名投资机构云集本次融资，阿里巴巴、阳光人寿保险、中邮人寿保险、东方资管等19位股东投资入股长鑫存储母公司睿力集成。本次变更完成后，睿力集成的注册资本增加至485.8亿元人民币。
此前，(2021年5月 )图灵资管入股长鑫存储，助力国产CPU产业发展，图灵资管董事长王晓妍表示：看好长鑫存储的核心技术和市场前景，图灵资管将全力助推长鑫存储提升国产DRAM的产业化能力。
长鑫存储成立于2016年，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，是国内唯一实现规模量产DRAM芯片的厂商，芯片制程和性能均达到国际主流水平。公司产品已经逐步实现了国产替代，产品主要应用于手机、电脑、服务器等，目前已经成功导入华为、小米、联想、威刚(全球第二大内存模组厂商)等厂商。
目前，长鑫已建成第一座12英寸晶圆厂并投产，2018年研发国内首个8Gb DDR4芯片，2019年Q3季度量产，2020年多款国产内存已经用上了长鑫的颗粒。
产能方面，长鑫在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标，2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。
据中国台湾《经济日报》报道，长鑫存储正在努力成为中国第一家DDR5生产商。长鑫存储目前是中国最大的 DRAM 制造商，也是其唯一的 (LP)DDR4 制造商。
2022年7月，长鑫存储公开了“磁性存储器及其读写方法”“存储节点接触结构的形成方法及半导体结构”“半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器”等15项发明专利。
其中，“磁性存储器及其读写方法”发明专利提供一种磁性存储器及其读写方法，磁性存储器包括至少一单元层，所述单元层包括：若干条平行的第一导线，位于第一平面内;若干条平行的第二导线，位于第二平面内，且所述第一平面与所述第二平面平行，所述第二导线在所述第一平面上的投影与所述第一导线交叉;若干个存储元件，设置在所述第一平面与所述第二平面之间，所述存储元件包括沿垂直所述第一平面方向串联设置的磁隧道结及双向选通器件，所述磁隧道结与所述第一导线连接，所述双向选通器件与所述第二导线连接，所述双向选通器件被配置为在被施加阈值电压和/或电流时导通。本发明磁性存储器改变了传统的磁性存储器设计，大大提高了磁场存储器的存储密度。
“半导体结构及其形成方法”专利则涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底;第一晶体管，包括位于所述衬底内的第一沟道、以及位于所述衬底表面的第一端，所述第一端用于与第一类型存储单元连接;第二晶体管，包括位于所述衬底内的第二沟道、以及位于所述衬底表面的第二端，所述第二端用于与第二类型存储单元连接，所述第二沟道的宽度大于所述第一沟道的宽度。本发明能够将所述第一晶体管的制造工艺与所述第二晶体管的制造工艺兼容，简化了半导体结构的制造方法。并且，有助于提高存储器中具有所述第一晶体管和/或所述第二晶体管的存储单元的集成密度，并缩小存储单元的尺寸，为扩展存储器的应用领域奠定了基础。
“反应腔室的清洗方法及半导体工艺方法”也是本次公开的发明专利之一，据介绍，本申请实施例涉及一种反应腔室的清洗方法及半导体工艺方法。该清洗方法用于对反应腔室进行清洗，反应腔室的内壁形成有碳材料层，碳材料层的表面附着有介质材料层，所述清洗方法包括：于反应腔室内通入清洗气体，清洗气体、碳材料层及介质材料层反应形成挥发性产物，以去除介质材料层。通过在反应腔室的内壁形成有碳材料层，以及向反应腔室内通入可与碳材料层、介质材料层形成挥发性产物的清洗气体，使得吸附在碳材料层表面的介质材料层被去除掉，从而达到消除反应腔室内壁上的介质材料层掉落到反应腔室内形成颗粒沾污的目的。
图灵资管
图灵资管自2016年开始私募股权投资管理业务，总部设立于深圳。公司成立至今一直致力于为高净值个人和机构客户提供全球范围内的价值投资机会，实现资产合理配置、财富稳健增值的目标。目前，公司股权投资领域成绩喜人，累计发行超过10只基金，参与投资了网易云音乐、微众银行、菜鸟网络、优必选、新相微电子、欣吉特生物、长鑫存储、中科光芯、叮当快药、舒客、德尔科技、荣芯半导体等项目，持续为投资人提供优质的投资标的。图灵资管凭借稳健合规的经营理念，获得了投资人的信赖，同时助力了行业的发展。
(来源：新视线)
