英特尔与联电达成12nm/3nm联合开发协议，聚焦亚利桑那州Fab 52等工厂，以FinFET技术为基础，目标直指台积电先进制程代工市场主导地位。
12nm节点进展明确：2026年内交付PDK、2027年初流片、年底量产，主攻物联网和WiFi芯片；3nm则处于联合研发阶段，旨在性能对标台积电3nm工艺。
联电借力英特尔产线规避EUV光刻机等天价投入，实现十年来首次重返先进制程；英特尔则依托联电客户资源提升产能利用率，加速IDM 2.0代工转型。
英特尔联电联手攻坚3nm工艺摘要
12nm节点进展明确：2026年内交付PDK、2027年初流片、年底量产，主攻物联网和WiFi芯片；3nm则处于联合研发阶段，旨在性能对标台积电3nm工艺。
联电借力英特尔产线规避EUV光刻机等天价投入，实现十年来首次重返先进制程；英特尔则依托联电客户资源提升产能利用率，加速IDM 2.0代工转型。
