SK海力士自HBM4起全面外包基底芯片（Base Die）生产至台积电，放弃历代自主制造模式，首度采用12nm制程，并计划在HBM4E中导入台积电3nm逻辑工艺，以应对英伟达Vera Rubin平台需求及三星4nm竞争压力。
双方合作已从产品级延伸至战略联盟层面，聚焦HBM4/HBM4E研发与CoWoS先进封装协同，同时探索英特尔备选封装方案；三方‘SK-英伟达-台积电’技术同盟在Computex 2026密集会晤中再度升级，直指AI算力供应链瓶颈。
在HBM4E 12层堆叠、4.0TB/s带宽（领先三星3.6TB/s）及58%全球市占率基础上，SK海力士借台积电代工与封装能力强化定制化AI内存平台，目标五年内晶圆产能翻倍，巩固其‘AI存储器创造者’定位并重塑三足鼎立竞争格局。
