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存储芯片周期性暴涨背后,国产半导体企业如何平衡风险与扩张?

BigNews 08.29 08:16

一、本轮存储暴涨的核心逻辑已从库存周期切换为AI结构性需求

AI算力重塑需求结构:数据中心对存储的需求占比已从两年前的20%多跃升至60%以上,AI服务器单机内存搭载量为传统服务器的8-10倍,NAND闪存用量达3倍。

供给端系统性收缩:三星、SK海力士将八成以上先进产能倾斜至HBM,通用DRAM和NAND供给被挤压,2026年二季度DDR5合约价环比上涨58%-63%,NAND合约价环比上涨70%-75%,单季涨幅创近十年罕见。

需求刚性预期明确:美光CEO表示即便全力生产也无法满足数据中心需求,客户采购需求比承诺供应规模高出约50%,机构判断供需紧平衡至少延续至2027年下半年。

二、国产存储双雄的业绩爆发与扩产竞赛

业绩跨越式反转:长鑫科技2026年上半年预计营收1100亿-1200亿元,归母净利润500亿-570亿元,同比增幅最高达2544%,日均盈利接近3亿元;长江存储2026年一季度营收334亿元,单季利润超2025年全年两倍。

资本化加速扩张:长鑫科技科创板上市首日暴涨超460%,市值一度突破4万亿元;长江存储以1600亿元估值冲刺IPO,拟募资约330亿元用于产线升级与下一代技术研发。

产能规划激进:长鑫计划2028年月产能冲击50万片,全球DRAM比特份额目标15%;长江存储同步推进多座新厂建设,未来两到三年整体产能有望数倍放大。

三、风险与扩张的平衡之道:逆周期布局与结构分化

警惕周期见顶信号:涨价斜率已明显收敛,TrendForce将三季度DRAM合约价涨幅预期从58%-63%大幅下调至13%-18%;部分机构将价格高点预期从2027年下半年提前至2026年年中,远期产能过剩恐慌正在发酵。

结构性分化加剧:高端HBM配套、先进封装、核心设备环节扩张贴合真实需求,属于良性扩张;中低端存储模组、通用硬件已现同质化扩产与供需失衡隐忧,未来1-2年大概率进入价格战与产能出清。

逆周期扩产策略奏效:长鑫在2022-2023年行业寒冬期逆势扩产,月产能从不足10万片提升至30万片,遵循“低谷期扩产、高峰期收割”逻辑,卡位本轮AI需求爆发的结构性缺口。 (以上内容均由AI生成)

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