摩根士丹利的警告即将在2026年第四季度成为现实——该行明确指出内存合同价格将在该季度见顶，标志着本轮存储芯片涨价周期的拐点。
一、大摩警告的核心结论
摩根士丹利在2026年7月21日发布的报告中警告，由AI驱动的半导体存储行业狂欢正接近拐点，内存合同价格预计将于2026年第四季度见顶。
报告指出，存储芯片涨价的变化速率（rate of change）正在触顶，但周期本身尚未终结，行业将进入高位运行、盈利增速放缓的阶段。
二、支撑见顶判断的关键信号
1. 盈利上行动能衰减
存储制造商的净盈利上调率已从92%的峰值回落至77%，表明盈利升级周期正在失去动力。
SK海力士未来一年期每股收益预期近期出现下滑，市场已开始消化盈利增速放缓的可能性。
2. 库存水平回升
2026年第二季度，DRAM和NAND库存均有所抬升，主要由大型内存模组厂驱动。
在价格同比增速已下行的背景下，库存增加放大了市场对后续去库存压力的敏感度。
3. 估值提前收缩
SK海力士市净率从高位回落至约2.5倍，三星降至约1.7倍，虽仍高于长期均值，但投资者已开始对见顶的增长率做出反应。
大摩指出，市场交易的重点正从“利润还能涨多少”转向“利润增速还能维持多久”。
三、周期拉长而非崩溃
大摩认为，尽管价格见顶，但本轮存储周期将走向拉长，而非直接崩溃，HBM供给硬约束与AI资本开支仍是关键支撑。
商品DRAM与高端存储（HBM）的命运正加速分化：传统存储更容易回归价格周期，而HBM仍可能维持供给紧张。 (以上内容均由AI生成)
