面对AI算力引发的存储芯片全球短缺，三星与SK海力士2025年大幅加码在华投资超70亿元，重点升级西安、无锡、大连工厂的成熟制程产能，以快速填补DRAM与NAND供应缺口。
尽管受美国出口管制收紧影响，韩企采取‘分段制造’‘分级布局’等务实策略，在合规前提下维持并强化中国产线核心地位——西安承担三星40% NAND、无锡支撑SK海力士30%以上DRAM产能，凸显其不可替代的枢纽价值。
此次投资不仅是产能响应，更是战略转向：将中国工厂从制造基地升级为高端技术落地中心，聚焦236层V-NAND、HBM封装及DDR5量产，同时加速中国本土厂商长鑫、长江存储崛起，预示全球存储格局进入结构性竞合新阶段。
