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华润微重磅发布SiC新品,布局宽禁带半导体竞逐碳中和赛道

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原标题:华润微重磅发布SiC新品,布局宽禁带半导体竞逐碳中和赛道

第三代半导体爆发前夜,国内功率半导体龙头再度重磅落子碳化硅(SiC)。

12月17日,华润微(688396.SH)继SiC二极管产品上市后,又宣布推出1200V SiC MOSFET新品,主要应用于新能源汽车OBC、充电桩、工业电源、光伏逆变、风力发电等领域。

覆盖新能源汽车、光伏逆变等大热领域,下游应用场景广阔

根据发布会信息,华润微自主研发量产的新品SiC MOS单管CRXQ160M120G1,具有栅氧可靠性好、高电流密度、高开关速度、工业级可靠性、Ron随温度变化小等优势,产品性能对标国际一线品牌,丰富的产品系列能够满足各类目标应用的需求。

从产品特性来看,第三代半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,适用于高温、高压、高频率场景,同时具有电能消耗较少的优势。由于SiC可以减少能耗损失,提高能源转化效率,这意味着SiC材料能够实现在射频器件和功率器件上对硅基材料的性能完美替代。

此外,让SiC成为行业明星的另一个原因在于,以SiC为代表的第三代半导体材料,有望成为中国半导体行业的突破口。当前,全球第三代半导体目前总体处于发展初期阶段,国内企业与国际巨头差距并不大;与此同时,新能源大时代,国内是最大的新能源汽车市场,更是最大的能源使用国之一,在此背景催化下,国产SiC产业链有望实现更快发展,甚至成为我国在半导体行业的突破口。

在众多厂商纷纷涌入SiC领域的环境下,华润微的竞争优势何在?答案或许体现在三个方面。首先,华润微已是国内领先的Si基功率器件供应商,拥有丰富的Si基功率器件经验,其MOSFET、IGBT等产品大规模设计、量产及应用,这为华润微在SiC赛道抢占身位奠定了基础。

其次,IDM经营模式下,华润微可通过自有6英寸SiC晶圆线生产、自有封装线进行封装,在内部资源整合和新产品推出速度方面皆具备竞争优势。

最后,当前SiC MOSFET市场主要以国外几大品牌为主,而去年下半年以来的半导体行业供应危机,再度凸显了国产化的重要性。华润微是SiC功率器件国产化的先行者之一,产品设计/制造/封装均在国内完成,产品性能对标国际一线品牌,全系列达到工业级可靠性。

“华润微电子在宽禁带半导体器件领域进行了前瞻性布局,大力推进SiC器件产品产业化和第一代650V GaN器件产品研发,期待公司SiC产品在细分市场占率和核心技术方面均实现领先,为公司添光增彩,为SiC产业生态做出贡献。”华润微董事、财务总监兼董事会秘书吴国屹说。

通讯员 张倩

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